晶体生长原理与技术 介万奇 科学出版社 rb kindle 网盘 umd 极速 下载 pdf mobi

本书分4篇探讨晶体生长的原理与技术。篇为晶体生长的基本原理，对晶体生长的热力学原理、动力学原理、界面过程、生长形态以及晶体生长初期的形核相关原理进行论述。第二篇为晶体生长的技术基础，分3章进行晶体生长过程的涉及传输行为(传质、传热、对流)、化学基础问题(包括材料的提纯与合成问题)以及物理基础(电、磁、力的作用原理)的综合分析。第三篇为晶体生长技术，分4章分别对以Bridgman法为主的熔体法晶体生长、以Czochralski方法为主的熔体法晶体生长、溶液法晶体生长以及气相晶体生长技术与发展进行介绍。第四篇分2章分别对晶体生长过程中缺陷的形成与控制和晶体的结构与性能表征方法进行论述。

本书可供从事晶体生长的科研和工程技术人员阅读，也可作为该领域研究生的教学参考书。

前言

篇 晶体生长的基本原理

　章 导论

　 1.1 晶体的基本概念

　 1.1.1 晶体的结构特征

　 1.1.2 晶体结构与点阵

　 1.1.3 晶向与晶面

　 1.1.4 晶体的结构缺陷概述

　 1.2 晶体材料

　 1.2.1 常见晶体材料的晶体结构

　 1.2.2 按照功能分类的晶体材料

　 1.3 晶体生长技术的发展

　 1.4 晶体生长技术基础及其与其他学科的联系

　 参考文献

　第2章 晶体生长的热力学原理

　 2.1 晶体生长过程的物相及其热力学描述

　 2.1.1 气体的结构及热力学描述

　 2.1.2 液体的结构及热力学描述

　 2.1.3 固体的结构及其热力学参数

　 2.1.4 相界面及其热力学分析

　 2.1.5 晶体生长的热力学条件

　 2.2 单质晶体生长热力学原理

　 2.2.1 单质晶体生长过程中的热力学平衡

　 2.2.2 液相及气相生长的热力学条件及驱动力

　 2.2.3 固态再结晶的热力学条件

　 2.3 二元系的晶体生长热力学原理

　 2.3.1 二元合金中的化学位

　 2.3.2 液-固界面的平衡与溶质分凝

　 2.3.3 气-液及气-固平衡

　 2.4 多组元系晶体生长热力学分析

　 2.4.1 多元体系的自由能

　 2.4.2 多元系结晶过程的热力学平衡条件

　 2.4.3 相图计算技术的应用

　 2.5 化合物晶体生长热力学原理

　 2.5.1 化合物分解与合成过程的热力学分析

　 2.5.2 复杂二元及多元化合物体系的简化处理

　 2.5.3 化合物晶体非化学计量比的成分偏离与晶体结构缺陷

　 2.5.4 熔体中的短程序及缔合物

　 参考文献

　第3章 晶体生长的动力学原理

　第4章 实际晶体生长形态的形成原理

　第5章 晶体生长过程的形核原理

第二篇 晶体生长的技术基础

　第6章 晶体生长过程的传输问题

　第7章 晶体生长过程中的化学问题

　第8章 晶体生长过程物理场的作用

第三篇 晶体生长技术

　第9章 熔体法晶体生长（1）——Bridgman法及其相似方法

　0章 熔体法晶体生长（2）——Cz法及其他熔体生长方法

　1章 溶液法晶体生长

　2章 气相晶体生长方法

第四篇 晶体缺陷分析与性能表征

　3章 晶体缺陷的形成与控制

　4章 晶体的结构与性能表征

参考文献

液的基本构成包括溶剂、溶质、杂质元素，以及在某些特殊情况下添加的助溶剂。在溶液法晶体生长过程中，溶剂是晶体生长的介质，溶质则是拟生长的晶体材料的组成元素。首先使溶质以原子或分子状态分散于溶剂中，当其再次从溶液中析㈩时，通过控制析出条件可获得具有结构、尺寸和性能的晶体。杂质是除溶剂和溶质之外的其他元素，是由于原料纯度不足或工艺过程控制不当引入的，而助溶剂是为了控制溶质元素的溶解特性而添加的附加元素。对于某些溶解度很低、蒸汽压很高或含有易挥发元素的晶体材料，添加助溶剂可以控制溶质在溶剂中的溶解度和稳定性。 溶液中各种组成元素的含量可以采用质量分数、摩尔分数或者其百分数表达，对此已经在第7章中作了描述。

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编辑推荐

本书共分4篇14章。篇首先对晶体生长所涉及的热力学与动力学原理及其已经广被接受的晶体生长的基本理论，包括晶体生长的形核和生长的界面过程、晶体生长过程的形态演变等作了简要介绍。第二篇对晶体生长技术涉及的共性基础进行了分析，其中包括传质、传热和流体流动的基本原理；晶体生长的化学原理及其在原材料的提纯与合成中的应用；应用于晶体生长的各种物理原理。第三篇主要探讨晶体生长技术，分类对各种晶体生长方法的发展及其控制原理和技术进行了分析，分4章分别讨论了Bridgman法及其相关方法、Czochralski法及其相关方法、溶液生长方法和气相生长方法。第四篇分2章分别讨论了各种晶体缺陷及其形成原理，晶体成分、结构和主要物理性能的表征方法及其测试技术。

书籍介绍

《晶体生长原理与技术》分4篇探讨晶体生长的原理与技术。第一篇为晶体生长的基本原理，对晶体生长的热力学原理、动力学原理、界面过程、生长形态以及晶体生长初期的形核相关原理进行论述。第二篇为晶体生长的技术基础，分3章进行晶体生长过程的涉及传输行为（传质、传热、对流）、化学基础问题（包括材料的提纯与合成问题）以及物理基础（电、磁、力的作用原理）的综合分析。第三篇为晶体生长技术.分4章分别对以Bridgman法为主的熔体法晶体生长、以Czochralski方法为主的熔体法晶体生长、溶液法晶体生长以及气相晶体生长技术与最新发展进行介绍。第四篇分2章分别对晶体生长过程中缺陷的形成与控制和晶体的结构与性能表征方法进行论述。《晶体生长原理与技术》可供从事晶体生长的科研和下程技术人员阅读，也可作为该领域研究生的教学参考书。